Samsung Electronics объявила во вторник, что разработала прорывной микросхемой высокопропускной способности - HBM3E 12H. Эта микросхема превосходит все предыдущие достижения отрасли как по объему, так и по производительности, превышая 50%. В свете растущего спроса на микросхемы HBM большей емкости со стороны поставщиков искусственного интеллекта, Samsung стремится удовлетворить эту потребность своим инновационным продуктом HBM3E 12H. Ёнчоль Бэ, исполнительный вице-президент по планированию продуктов памяти в Samsung Electronics, заявил, что это передовое решение для памяти является частью их стратегии лидирования на рынке микросхем HBM большой емкости в эпоху искусственного интеллекта. Как самый большой производитель чипов оперативной памяти, успешные достижения Samsung играют важную роль в устройствах для потребителей, таких как смартфоны и компьютеры, а также в генеративных моделях искусственного интеллекта, как ChatGPT от OpenAI. Микросхема HBM3E 12H позволит моделям искусственного интеллекта сохранять историю бесед и предпочтения пользователя, что приведет к более естественным и персонализированным ответам. Компании-производители микросхем, такие как Nvidia, испытывают огромный рост благодаря буму в области искусственного интеллекта. Выручка Nvidia в четвертом финансовом квартале выросла на 265% за счет спроса на ее графические процессоры, которые широко используются для обучения и управления ChatGPT. В ходе аналитического звонка генеральный директор Nvidia, Дженсен Хуанг, отметил, что поддержание такого уровня роста и продаж в течение года может представлять сложности.

Компания Samsung Electronics считает, что HBM3E 12H станет оптимальным решением для будущих систем, требующих большей памяти, предлагая улучшенную производительность и гибкость, а также снижая общую стоимость обслуживания для центров обработки данных. Компания уже начала предоставлять образцы микросхемы клиентам и готовится к массовому производству в первой половине 2024 года. Эта новость вызвала позитивные ожидания в отношении акций Samsung. В сентябре Samsung заключила сделку о поставках чипов памяти высокой пропускной способности 3 компании Nvidia, тем самым укрепив свое положение на рынке. По данным отчетов, SK Hynix, второй по величине корейский производитель микросхем памяти, на данный момент лидирует на рынке микросхем высокой производительности и ранее являлся единственным массовым производителем микросхем HBM3 для Nvidia. Samsung включил в микросхему HBM3E 12H разработанную им продвинутую непроводящую пленку с термокомпрессионным свойством, что позволяет сохранить такую же высоту, как у восьмислойных чипов, несмотря на использование 12 слоев. Это достижение приводит к повышению производительности без увеличения физического размера микросхемы. Усилия Samsung по уменьшению толщины своего материала NCF и устранению пустот между слоями также способствовали увеличению плотности по вертикали более чем на 20% по сравнению с продуктом HBM3 8H.