Samsung Electronics envisage d'adopter une technologie de fabrication de puces utilisée par son concurrent SK Hynix afin de rattraper son retard dans la production de puces haut de gamme pour l'intelligence artificielle (IA), selon des sources. La demande pour les puces à mémoire à large bande passante (HBM) a augmenté avec la popularité de l'IA générative, mais Samsung n'a encore conclu aucun accord avec le leader des puces IA, Nvidia, pour fournir les dernières puces HBM. La décision de Samsung de continuer à utiliser la technologie de fabrication de puces à film non conducteur (NCF), qui a causé des problèmes de production, l'a placé derrière SK Hynix et Micron Technology. Cependant, Samsung a maintenant passé des commandes d'achat d'équipements de fabrication de puces conçus pour gérer la méthode d'encapsulation sous remoulage de masse (MR-MUF), à laquelle SK Hynix s'est avec succès converti. Les rendements de production actuels des puces HBM3 de Samsung se situent entre 10 et 20 %, tandis que SK Hynix a atteint 60 à 70 % pour sa production de HBM3.

Samsung est également en discussion avec des fabricants de matériaux pour se procurer des matériaux MR-MUF. La société prévoit d'utiliser à la fois les techniques NCF et MR-MUF pour sa dernière puce HBM. Les versions les plus récentes de puces HBM, HBM3 et HBM3E, connaissent une forte demande car elles sont utilisées pour traiter de grandes quantités de données dans l'IA générative. Samsung espère commencer la production de masse de puces haut de gamme en utilisant le MR-MUF l'année prochaine après davantage de tests.